આપોઆપ તાપમાન અને ભેજ નિયંત્રણ

સ્વચ્છ રૂમનું તાપમાન અને ભેજ મુખ્યત્વે પ્રક્રિયાની જરૂરિયાતો અનુસાર નક્કી કરવામાં આવે છે, પરંતુ પ્રક્રિયાની જરૂરિયાતો પૂરી થાય તે શરત હેઠળ, માનવ આરામને ધ્યાનમાં લેવો જોઈએ.હવાની સ્વચ્છતાની જરૂરિયાતોમાં વધારા સાથે, એક વલણ છે કે પ્રક્રિયામાં તાપમાન અને ભેજ પર વધુને વધુ કડક આવશ્યકતાઓ છે.

જેમ જેમ મશીનિંગની ચોકસાઈ વધુ ને વધુ ઝીણી થઈ રહી છે, તેમ તાપમાનની વધઘટ શ્રેણી માટેની જરૂરિયાતો નાની અને નાની થઈ રહી છે.ઉદાહરણ તરીકે, મોટા પાયે સંકલિત સર્કિટ ઉત્પાદનની લિથોગ્રાફી એક્સપોઝર પ્રક્રિયામાં, ડાયાફ્રેમની સામગ્રી તરીકે કાચ અને સિલિકોન વેફરના થર્મલ વિસ્તરણ ગુણાંક વચ્ચેનો તફાવત નાનો અને નાનો હોવો જરૂરી છે.જ્યારે તાપમાન 1 ડિગ્રી વધે છે ત્યારે 100μm વ્યાસ ધરાવતું સિલિકોન વેફર 0.24μmના રેખીય વિસ્તરણનું કારણ બને છે.તેથી, તેનું સતત તાપમાન ±0.1 ડિગ્રી હોવું જોઈએ.તે જ સમયે, ભેજનું મૂલ્ય સામાન્ય રીતે ઓછું હોવું જરૂરી છે, કારણ કે વ્યક્તિ પરસેવો કર્યા પછી, ઉત્પાદન પ્રદૂષિત થશે, ખાસ કરીને સેમિકન્ડક્ટર વર્કશોપ માટે જે સોડિયમથી ડરતા હોય છે, આ પ્રકારની સ્વચ્છ વર્કશોપ 25 ડિગ્રીથી વધુ ન હોવી જોઈએ.

વધુ પડતી ભેજ વધુ સમસ્યાઓનું કારણ બને છે.જ્યારે સાપેક્ષ ભેજ 55% કરતા વધી જાય, ત્યારે ઠંડકના પાણીની પાઇપની દિવાલ પર ઘનીકરણ થાય છે.જો તે ચોક્કસ ઉપકરણ અથવા સર્કિટમાં થાય છે, તો તે વિવિધ અકસ્માતોનું કારણ બનશે.જ્યારે સાપેક્ષ ભેજ 50% હોય ત્યારે તેને કાટ લાગવો સરળ છે.વધુમાં, જ્યારે ભેજ ખૂબ વધારે હોય છે, ત્યારે સિલિકોન વેફરની સપાટી પરની ધૂળ હવામાં રહેલા પાણીના અણુઓ દ્વારા સપાટી પર રાસાયણિક રીતે શોષાઈ જશે, જેને દૂર કરવી મુશ્કેલ છે.સાપેક્ષ ભેજ જેટલું ઊંચું હોય, સંલગ્નતાને દૂર કરવું તેટલું વધુ મુશ્કેલ હોય છે, પરંતુ જ્યારે સાપેક્ષ ભેજ 30% કરતા ઓછો હોય, ત્યારે ઇલેક્ટ્રોસ્ટેટિક બળની ક્રિયાને કારણે કણો પણ સપાટી પર સરળતાથી શોષાય છે, અને મોટી સંખ્યામાં સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણો ભંગાણ માટે ભરેલું છે.સિલિકોન વેફર ઉત્પાદન માટે શ્રેષ્ઠ તાપમાન શ્રેણી 35~45% છે.